Высоковольтный диод серии HPT

Отправить запрос
Высоковольтный диод серии HPT
Детали
Карбид-кремниевые диоды Шоттки на 1700 В и 2200 В, высоковольтные карбидокремниевые диоды Шоттки для высоко-частотной и высокоэффективной силовой электроники
Категория
Высоковольтный мощный диод с быстрым восстановлением
Share to
Описание

Обзор

 

Карбид-диоды Шоттки на напряжение 1700 В и 2200 В — это высоковольтные-выпрямители мощности, предназначенные для высоко-частотного и высоко-эффективного преобразования энергии. По сравнению с обычными кремниевыми диодами с быстрым восстановлением технология SiC обеспечивает чрезвычайно низкий уровень обратного-восстановления, снижение потерь на переключение и превосходную высоко-температурную стабильность. Эта серия подходит для источников питания высокого-напряжения, источников питания лазеров, рентгеновских систем, зарядных устройств для конденсаторов, электростатического оборудования и промышленной высокочастотной силовой электроники.

 

Ассортимент продукции

 

Серия продуктов

Максимальное повторяющееся обратное напряжение

Текущий класс

Технология

Основное преимущество

1700 В Карбид кремния

1700V

До 10А

SiC Шоттки

Сверх-быстрое переключение

2200 В Карбид кремния

2200V

До 10А

SiC Шоттки

Работа при высоком-напряжении

 

Ключевые особенности

 

* Номинальное высокое-напряжение 1700 В и 2200 В.

* Технология диода Шоттки из карбида кремния

* Практически отсутствует обычный обратный-ток восстановления.

* Очень низкие потери переключения

* Возможность высокочастотного переключения-.

* Низкая стоимость обратного-возврата.

* Отличная работа при высоких-температурах.

* Высокая плотность мощности

* Снижение коммутационной нагрузки на силовые устройства.

* Подходит для компактных высокочастотных-источников питания.

* TO-220 и индивидуальные варианты упаковки доступны в зависимости от дизайна продукта.

 

Почему стоит выбирать SiC вместо обычных кремниевых диодов с быстрым восстановлением?

 

Обычные кремниевые диоды с быстрым восстановлением используют PN-переход и требуют удаления накопленного заряда во время-выключения. Технология SiC Шоттки устраняет традиционный механизм хранения минорных-несущих, связанный с восстановлением кремниевого PN-перехода, что делает ее особенно подходящей для приложений с высокочастотной коммутацией-.

 

SiC против кремниевого диода с быстрым восстановлением

 

Особенность

Кремниевый диод быстрого восстановления

SiC диод Шоттки

Полупроводниковый материал

Кремний

Карбид кремния

Тип соединения

ПН-переход

Шоттки

Обратное восстановление

Десятки наносекунд

Чрезвычайно низкий уровень/практически отсутствие традиционного восстановления.

Потери при переключении

Выше

Ниже

Высокочастотная-работа

Хороший

Отличный

Обратный-компенсационный сбор

Выше

Очень низкий

Высокая-температурная стабильность

Хороший

Отличный

Плотность мощности

Умеренный

Высокий

Высокочастотный-источник питания

Подходящий

Настоятельно рекомендуется

Оптимизация эффективности

Ограничено потерями на восстановление

Отличный потенциал

Размер системы

Общепринятый

Может поддерживать более компактные конструкции

 

Техническая спецификация

 

Параметр

Серия 1700В

Серия 2200В

Полупроводник

Карбид кремния

Карбид кремния

Тип устройства

Диод Шоттки

Диод Шоттки

ВРРМ

1700V

2200V

Текущий класс при 160 градусах

До 10А*

До 10А*

Импульсный ток

54A

54A

Прямое напряжение

1.4V

2.0V

Ток утечки

5мкА

5мкА

Температура перехода-

-55~175степень

-55~175степень

Температура хранения

-55~175степень

-55~175степень

Упаковка

ТО-220-2Л

ТО-220-2Л

Обратное восстановление

Чрезвычайно низкий

Чрезвычайно низкий

Частота переключения

Поддержка высоких-частот

Поддержка высоких-частот

Рабочая температура

Зависит от приложения

Зависит от приложения

 

Карбид-диод 1700 В

SiC-диод Шоттки 1700 В для высокочастотных источников питания-
Карбид-диод Шоттки 1700 В предназначен для применений, требующих высокого запирающего напряжения, быстрого переключения и низких потерь при переключении.
При номинальном напряжении 1700 В его можно рассматривать для модернизации кремниевых выпрямителей с быстрым восстановлением класса 1600 В-, если запас по напряжению схемы, тепловые условия и электрические характеристики проверены должным образом.

Рекомендуемые приложения

* Высокочастотные-импульсные источники питания.
* Высоковольтные-источники питания постоянного тока.
* Схемы PFC
* ООО резонансные преобразователи
* Высокочастотные-преобразователи постоянного тока-постоянного тока.
* Лазерные источники питания
* Промышленные источники питания
* Рентгеновские-лучевые и медицинские источники питания.
* Высоковольтные-системы зарядки конденсаторов.
* Импульсные энергосистемы
* Радиочастотное и высокочастотное-оборудование.
* Электростатические источники питания

 

Карбид-диод 2200 В

SiC-диод Шоттки 2200 В для преобразования энергии высокого-напряжения
Карбид-диод Шоттки на 2200 В разработан для приложений с высоким-напряжением, требующих более высокого запаса по напряжению блокировки-, чем у обычных устройств класса 1700 В-.
Он подходит для выпрямления высокого-напряжения и высокочастотного-преобразования энергии, где важны снижение потерь на переключение и работа при высоких-температурах.
Рекомендуемые приложения
* Источники питания -высокого-класса напряжения 2 кВ.
* Промышленные выпрямители высокого-напряжения.
* Высокочастотные-преобразователи мощности.
* Лазерные источники питания
* Генераторы рентгеновского-высокого-напряжения.
* Медицинское высоковольтное-оборудование.
* Электростатические осадители
* Оборудование для электростатического распыления.
* Зарядка конденсаторов высокого-напряжения.
* Импульсное силовое оборудование
* Высокочастотное-промышленное оборудование.

 

Рекомендации по замене

 

Может ли SiC-диод заменить кремниевый диод с быстрым восстановлением?
Во многих приложениях SiC-диод Шоттки можно использовать в качестве модернизации или замены кремниевого диода с быстрым восстановлением, но его не следует рассматривать как универсальную замену выводов-на-выводы.

 

Перед заменой оригинального кремниевого диода инженеры должны проверить:

1. Номинальное обратное напряжение
2. Средний прямой ток
3. Пиковый и импульсный ток
4. Прямое падение напряжения
5. Емкость перехода
6. Термическое сопротивление
7. Частота переключения
8. Конфигурация корпуса и контактов
9. Утечка и зазор на печатной плате
10. Переходные напряжения в системе и запас прочности

 

Преимущества для высокочастотных-приложений

Более низкие потери переключения

Очень низкий уровень обратного-восстановления SiC-диодов Шоттки помогает снизить потери при выключении-по сравнению с обычными кремниевыми PN-выпрямителями с быстрым-восстановлением.

01

Более высокая частота переключения

Более низкие потери переключения могут позволить разработчикам увеличить частоту переключения, сохраняя при этом тепловые характеристики.

02

Более высокая плотность мощности

Более высокие частоты переключения могут помочь уменьшить размер магнитных компонентов, фильтров и других пассивных компонентов, что позволяет сделать системы-преобразования мощности более компактными.

03

Улучшенные тепловые характеристики

Меньшие потери на переключение могут снизить выделение тепла на высокочастотных каскадах преобразования энергии и обеспечить большую гибкость теплового проектирования.

04

Работа при высоких-температурах

Карбид кремния по своей природе подходит для требовательных-высокотемпературных приложений силовой электроники и обеспечивает превосходную термическую стабильность.

05

 

Типичные применения

01/

Высокочастотные-источники питания

Выпрямители SiC подходят для высокочастотных систем преобразования энергии, где потери восстановления обычных кремниевых диодов становятся значительными.

02/

Лазерные источники питания

Способность блокировки высокого-напряжения и характеристики быстрого переключения делают SiC-диоды подходящими для компактных архитектур источников питания лазеров.

03/

Рентгеновские-и медицинские системы высокого-напряжения

Серии на 1700 В и 2200 В можно использовать в качестве каскадов выпрямления высокого-напряжения и зарядки конденсаторов в медицинском и промышленном рентгеновском оборудовании.

04/

Электростатическое оборудование

Область применения включает электростатические осадители, системы электростатического распыления и другие источники питания постоянного-высокого напряжения.

05/

Промышленные источники питания высокого-напряжения

Технология SiC может повысить эффективность и производительность переключения в промышленных системах преобразования энергии высокого напряжения.

 

Индивидуальные решения для SiC-диодов

 

Мы поддерживаем индивидуальные решения для высоковольтных-карбид-кремниевых диодов для OEM-производителей и промышленного применения.
Кастомизация может обсуждаться в соответствии с:
* Номинальное напряжение
* Текущий рейтинг
* Требования к прямому напряжению
* Характеристики переключения
* Тип упаковки
* Конфигурация потенциальных клиентов
* Тепловые требования
* Требования к электрическим испытаниям
* Целевые показатели производительности-для конкретных приложений.

 

Для OEM-проектов высокого-высокого напряжения клиенты могут предоставить данные о напряжении цепи, рабочем токе, частоте переключения, рабочей температуре и существующей модели диода. Наша команда инженеров может порекомендовать подходящее решение SiC на 1700 В или 2200 В.

 

горячая этикетка : Диод высокого напряжения серии hpt, Китай производители диодов высокого напряжения серии hpt, поставщики, Высоковольтный диод серии BR F, Высоковольтный диод BR3F, Высоковольтный диод BR4F, Высоковольтный диод 5А, Высоковольтный диод с высоким номинальным током, Высоковольтный диод серии HVRW

Отправить запрос